韩国《中央日报》7月26日报道，星电芯片25日，抢先全球三星电子在京畿道华城的台积极紫外线光刻（EUV）专用代工（半导体委托生产）设施V1生产线举行了全球首次应用全环绕栅极（GAA）技术的3纳米晶圆代工制程芯片的出厂仪式。三星电子从2000年代初开始研究GAA晶体管结构。电步
据报道，批量三星电子的产出3纳米芯片批量生产比台积电领先一步。
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韩国《中央日报》7月26日报道，25日，三星电子在京畿道华城的极紫外线光刻EUV）专用代工半导体委托生产）设施V1生产线举行了全球首次应用全环绕栅极GAA）技术的3纳米晶圆代工制程芯片的出厂仪式。三星
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